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烟台二极管厂

时间:2022-09-09 01:34 来源:网络整理 转载:迪古淑哲网
烟台二极管厂, 正向性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二

品牌vishay 批号new 封装*封装 系列VSKC 型号VSKC250-12

正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压*过一定数值  ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新**IXYS二极管,
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B 
MDA72-14N1B 
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MDD26-08N1B 
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MDD44-08N1B 
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MDD95-18N1B 
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MDO500-12N1
MDO500-14N1 
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MDO500-18N1

反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
POWEREX二极管
CD410830
CD410860 
CD410899B 
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CM531613 
CM531620 
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CS612516C
CS612616C
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CS613016C
CS613216C
CS613416C
CSD3080H
CSD3120H
CSD3160H
CT220802
CT230802
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二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流(不*过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成****电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
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本公司长期供应三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、欧派克(EUPEC)、西门康(SEMIKRON)、SIEMENS西门子、西码(WESTCODE)、三社(SANREX) 、ABB公司现代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、单,双向可控硅、平板系列,椤⑷鄱掀鞯取

有些朋友不知道测试EUPEC/infineon二极管的好坏,其实和测普通的二极管一样,很简单的,分为正向特性测试和反向特性测试,****一一解答:
    正向特性测试是把万用表的黑表笔(表内正*)搭触二极管的正*,红表笔(表内负*)搭触二极管的负*。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。
    反向特性测试是把万用表的红表笔搭触二极管的正*,黑表笔搭触二极管的负*,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,二极管就是合格的。
poseico二极管
AZD1080S28
AZD1080S18
AZD1280S10
AZD1600S10
AZD610HVIS58
AZD780HVIS45
AZD930S10

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